中芯国际核心技术人员离职原因是什么 曾任研发副总裁 主导N+1工艺(2)
财经新闻 2021-07-05165未知SHI
一位曾在中芯国际的研发人员告诉第一财经，吴金刚主导开发了中芯国际N+1工艺。根据中芯国际公告，吴金刚于2001年加入中芯国际，2001 年至 2014 年，历任助理总监、总监、资深总监，2014 年至今担任技术研发副总裁，任职期间负责参与中芯国际FinFET 先进工艺技术研发及管理工作。
在今年一季度财报会上，中芯国际透露，先进工艺方面，其第一代 FinFET工艺已经进入量产阶段，产品良率达到业界标准，多个衍生平台开发按计划进行，NTO（new tape out）稳步导入，正在实现产品的多样化目标；第二代FinFET工艺进入风险量产。不过，实体清单管制给先进制程带来的风险和不确定性也更大。
吴金刚博士离职原因是什么?上述员工表示，吴金刚与中芯国际联席CEO梁孟松“不对付”或许是其离职原因之一。
中芯国际称，公司研发团队总体相对稳定。吴金刚已完成与研发团队的工作交接， 吴金刚的离职不会对公司的技术研发和生产经营带来实质性影响，不会影响公司持有的核心技术。