我国早期半导体硅材料奠基人梁骏吾院士逝世(简历)

　　6月24日，中科院半导体所宣布 讣告：中国工程院院士、中国科学院半导体研究所研究员、我国著名半导体资料 学家梁骏吾先生因病医治无效，不幸于2022年6月23日17时在北京逝世，享年89岁。

　　梁骏吾院士1933年9月18日生于湖北武汉，1997年被选 中国工程院院士。他先后荣获国度 科委科技成果 二等奖和新产品 二等奖各1次，国度 科技提高 三等奖1次、中科院重大成果 和科技提高 一等奖3次、二等奖4次，上海市科技提高 二等奖1次等各类 科技奖共20余次。

　　梁骏吾院士从事半导体资料 科学研究工作六十多年，是我国早期半导体硅资料 的奠定 人。上世纪60年代解决了高纯区熔硅的症结 技巧 ；1964年制备出室温激光器用 GaAs 液相外延资料 ；1979年研制胜利 为大范围 集成电路用的无位错、无旋涡、卑微 缺陷、低碳、可控氧量的优质硅区熔单晶；80年代首创了掺氮中子嬗变硅单晶，解决了硅片的完整性和平均 性的问题；90年代初研究 MOCVD 生长超晶格量子阱资料 ，在晶体完整性、电学性能和超晶格构造 掌握 方面，将中国超晶格量子阱资料 推进到实用水平；他还在太阳电池用多晶硅的研究和家当 化等方面施展 着积极作用。

原题目 ：我国早期半导体硅资料 奠定 人梁骏吾院士逝世