三大创新技术突破无源混频器的窄带“宿命”
设计带来极大的挑战。受制于半导体技术制约以及射频技术本身的复杂性，高性能、宽带射频集成电路的设计实现通常难度非常大，射频器件在满足高带宽、低噪声、无杂散动态范围等关键技术指标上常常左支右绌。而混频器作为射频电路设计的关键器件之一，无疑是典型代表。
熟悉射频电路的工程师通常了解两个术语——有源混频器和无源混频器。由于两种混频器固有的架构特点，有源混频器通常意味着高带宽，而无源混频器几乎等同于低带宽混频器。但是，混频器技术的高带宽和高性能似乎天生就有点鱼与熊掌不可兼得的尴尬——有源混频器泛泛的无杂散动态范围和线性度特性让其在很多对性能要求苛刻的宽带应用中黯然失色，而无源混频器尽管具有无杂散动态范围特性、线性度的明显优势明，但低带宽让人望而却步。然而，在像蜂窝基站这样的应用中，恶劣的工作环境和不断变化的市场格局要求接收器件具有极高的性能，为了满足高带宽设计需求，大部分都采用了具有良好带宽但其他性能指标平平的有源混频器。这样的折中无疑存在一定的性能隐患，例如更高的掉线将射频前端电路大大简化并提高射频电路性能。
ADL5811/5812无源混频器消除了一直以来宽带应用中选择有源或无源混频器必然面对的折中尴尬，因为它们不但能够提供工程师需要的线性度、失真和噪声性能，而且支持真正意义上的宽带频率工作模式。新款ADI无源混频器在单个器件中支持宽达700MHz至2800MHz的频率范围，其输入IP3（三阶交调）为24 dBm，SSB噪声系数为11dB ，功率转换增益为7dB。ADL5811/5812实现了业界最佳的线性度、噪声系数、无杂散动态范围和阻塞性能，而且这些性能规格在整个工作频率范围内保持稳定。
滤波器。其中最突出的是宽带方波限幅LO放大器，与传统的窄带正弦波LO放大器不同，允许将高于或低于RF输入的LO应用于极宽的带宽，这种放大器可以在250MHz到2760MHz的较高带宽范围内产生一种上升时间较快的高压方波，而不会导致直流电流上升。而这是窄带无源混频器中通常难以克服的问题。此外，由于不需要储能元件，因此直流功耗也随着LO频率降低而降低。以前，窄带混频器集成一种由磁性或传输线路变压器构成的RF巴伦，有限带宽大大限制了此类混频器的应用。ADL5811/5812业界创新地首次采用了可编程的RF巴伦变压器结构，用来确保平衡的RF信号加载至FET混频器，能够在700 MHz至2800 MHz RF输入频率范围内实现最佳性能，在整个射频带宽内提供出色的LO至RF和LO至IF泄漏、出色的RF至IF隔离以及出色的交调性能。ADL5811/5812采用的第三种创新技术是在混频器输出端集成了可编程低通滤波器, 低通滤波器可以滤除无用的边带信号,从而去除因无用边带信号引起的中频放大器的过早的压缩, 这样可以提高线性。ADI设计了一种调谐滤波器网络来提供适当的频端（为RF和LO频率的函数），由此降低了负载中无用边带的幅度。
图2：三大技术进步成就高性能宽带无源混频器：1.宽带、限幅LO放大器；2.可编程RF巴伦变压器；3.可编程低通滤波器。
此外，ADL5811/5812所采用的平衡混频器内核还能提供极高的输入线性度，使该系列器件能用在要求苛刻的宽带应用中。对于这些应用，如果输入线性度不高，带内阻塞信号可能会导致动态范围降低。平衡混频器内核所实现的阻塞器噪声系数性能与窄带无源混频器设计相当。在ADL5811/5812上，紧跟在无源混频器内核之后，采用了高线性度中频缓冲放大器，可提供7 dB的典型功率转换增益，并且可以与各种输出阻抗一起使用。
适合无线基础设施及软件无线高性能射频无源混频器适合各种宽带无线基础设施应用和软件定义无线电应用，包括多频段/多标准蜂窝基站接收机、宽带无线电链路下变频器、多模式蜂窝中继器和微微蜂窝应用。针对这些应用的设计通常要求高线性度和低噪声，而现有混频器解决方案通常需要使用外部元件，如巴伦和匹配元件，从而增加了设计和调试的复杂度，使设计变得更具挑战性。上述的ADL5811和ADL5812高性能特性在整个频带范围内都表现稳定，并可通过S
调谐控制消除片外匹配元件的必要性，缩短设计时间、减少器件验证、降低开发成本、降低元器件成本、改进库存管理。
等无线基础设施设计中，优异的线性度、转换增益、杂散抑制和低噪声系数对对增强接收器灵敏度和抗阻塞性能至关重要。这些无线基站通信标准定义了不同参数的下限指标，包括接收机的灵敏度和无线电信号性能，这些关键指标对无线基站中的每个射频功能模块提出了设计挑战。而作为信号通路中对灵敏度有关键影响的混频器，其性能特性非常重要，ADL5811/5812在继承无源混频器的卓越动态特性、高线性度、低噪声优势的同时，带宽上完全满足了这些应用需求，将成为包括蜂窝基站、微基站和微微基站等无线基础设施的最佳的混频器选择。ADL5811/5812的卓越性能将大大有助于降低通信运营商的掉话率等用户敏感的关键性能指标。软件无线电应用的关键特性之一就是可重新配置和宽带适应性，ADL5811/5812的宽带、高性能和可编程特性使其非常适合软件无线突破性地将频率范围扩展到700MHz到2800MHz，不仅满足了宽带无线应用的频率要求，而且所有功能都通过三线式SPI（串行端口接口）轻松更改，设计师无需借助外部阻抗匹配元件也可对混频器进行调节。这些可编程特性包括：通过片上
简单设置，双通道ADL5812的每个通道都可以独立使能或禁用；频率设置；中频输出低通滤波器设置，可以实现增益、噪声系数和输入三阶截取点之间的折中；混频器VGS设置；等等。
作为射频集成电路领域的领先供应商，ADI一直在致力于宽带射频电路的研发，利用完善的设计技术、系统知识与工艺技术，从业界领先的高性能分立RF功能模块，到高度集成的多功能、单芯片RF解决方案，提供覆盖整个射频信号链的RF产品。在混频器技术和市场上具有领先的优势，ADL5811和ADL5812无源混频器的推出再次为高性能射频电路设计提供了一款关键器件，兼顾高性能和高带宽。
作为完整无线通信信号链的一部分，ADL5811和ADL5812无源混频器可以与ADI的AD8375/6 IF DGA或ADL5561/2差分放大器及ADF435X系列频率合成器配合使用，共同构成完整的接收机信号链。
和特点 RF频率范围：700 MHz至3,000 MHz（连续） LO频率范围：200 MHz至2,700 MHz，高端或低端注入 IF频率范围：40 MHz至500 MHz 功率转换增益：9.0 dB 单边带(SSB)噪声系数：11.3 dB 输入IP3：30 dBm 输入 P1dB：10.6 dBm LO输入驱动：0 dBm（典型值） 单端50 Ω RF端口 单端或平衡LO输入端口 串行端口接口(SPI)控制所有功能 7 mm × 7 mm、48引脚裸露焊盘LFCSP封装 产品详情 ADRF6612是一款双通道射频(RF)混频器和中频(IF)放大器，集成锁相环(PLL)和压控振荡器(VCOs)。 ADRF6612利用革命性的宽带方波限幅本振(LO)放大器来实现前所未有的700 MHz至3000 MHz RF带宽。 与窄带正弦波LO放大器解决方案不同，LO可用于高于或低于RF输入的极宽带宽。 LO放大器不需要储能元件，因此直流功耗也随着LO频率降低而降低。 ADRF6612利用高线性度的双重平衡无源混频器内核以及集成式RF和LO平衡电路实现单端操作。 集成式RF巴伦可在700 MHz至3000 MHz RF输入频率范围内提供最佳性能。 平衡无源混频器配置能够在整个RF带宽内提供出色的LO至RF和LO至IF泄漏、出色的...
和特点 宽带设计：20 – 42 GHz 宽IF带宽：0 – 5 GHz 转换损耗：-8.5 dB 高IIP3：22 dBm 高镜像抑制：25 dB 高LO-RF隔离：45 dB 降低IF滤波要求 产品详情 HMC8192是一款无源宽带I/Q MMIC混频器，可用作接收器镜像抑制混频器或发射器单边带上变频器。HMC8192具有20 GHz至42 GHz的RF和LO范围以及DC至5 GHz的IF带宽，非常适合需要宽频率范围、出色RF性能、更简单设计以及更少器件和更小印刷电路板(PCB)尺寸的应用。单个HMC8192可取代设计中的多个窄带混频器。HMC8192的固有I/Q架构具有出色的镜像抑制能力，因此无需进行成本高昂的干扰边带滤波。该混频器还提供出色的LO至RF和LO至IF隔离性能，并降低了LO泄漏的影响以确保信号完整性。作为一款无源混频器，HMC8192无需任何直流电源。相比有源混频器，它提供较低的噪声系数，从而确保针对高性能和精密应用具有出色的动态范围。HMC8192采用GaAs MESFET工艺制造，使用ADI公司的混频器单元和90度混合器件。该器件采用4 mm × 4 mm、25引脚紧凑型LGA封装，工作温度范围为−40°C至+85°C。该器件同时提供评估板。应用 测试与测量仪器...
和特点 无源宽带I/Q混频器 RF和LO范围：6 GHz至26.5 GHz 宽IF带宽：DC至5 GHz 单端RF、LO和IF 转换损耗：9 dB（典型值） 镜像抑制：25 dBc（典型值） 单边带噪声指数：9 dB（典型值） 输入IP3（下变频器）：24 dBm（典型值） 输入P1dB压缩点（下变频器）：15 dBm（典型值） 输入IP2：55 dBm（典型值） LO至RF隔离：40 dB（典型值） LO至IF隔离：40 dB（典型值） RF至IF隔离：20 dB（典型值） 幅度平衡：±0.5 dB（典型值） 相位平衡（下变频器）：±5°（典型值） RF回波损耗：15 dB（典型值） LO回波损耗：15 dB（典型值） IF回波损耗：15 dB（典型值） 裸露焊盘、4 mm × 4 mm、24引脚陶瓷LCC 封装 产品详情 HMC8191是一款无源、宽带I/Q单芯片微波集成电路(MMIC)混频器，可用作接收器镜像抑制混频器或发射器单边带上变频器。HMC8191具有6 GHz至26.5 GHz的射频(RF)和本振(LO)范围以及DC至5 GHz的中频(IF)带宽，非常适合需要宽频率范围、出色RF性能、简单设计以及更少元件和小尺寸印刷电路板(PCB)的应用。单个HMC8191可取代设计中的多个窄带混频器。 HMC8191的固有...
和特点 射频(RF)范围：6 GHz至10 GHz 本振(LO)输入频率范围：6 GHz至10 GHz 转换损耗：典型值8 dB（6 GHz至10 GHz时） 镜像抑制：典型值23 dBc（6 GHz至10 GHz时） LO至RF隔离：43 dB（典型值） LO至中频(IF)隔离：25 dB（典型值） 输入三阶交调截点(IP3)：19 dBm（典型值） 针对1 dB压缩(P1dB)的输入功率：典型值10 dBm（7.1 GHz至8.5 GHz时） 宽IF频率范围：DC至3.5 GHz 24引脚、4 mm × 4 mm、陶瓷无铅芯片载体封装 产品详情 HMC520A是一款砷化镓(GaAs)单芯片微波集成电路(MMIC)、同相正交(I/Q)混频器，采用符合RoHS标准的24引脚、陶瓷无铅芯片载体(LCC)封装。该器件可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。该混频器使用两个标准双平衡混频器单元和一个90°混合器件，均采用GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺。HMC520A为混合型镜像抑制混频器和单边带上变频器组件的小型替代器件。HMC520A无需线焊，可以使用表贴制造技术。应用 点对点微波无线电 点对多点无线电 视频卫星(VSAT) 数字无线电 仪器仪表 自动测试设备(ATE) 方框图...
和特点 无源：无需直流偏置 转换损耗： 9 dB 镜像抑制： 20 dB（典型值） LO至RF隔离：35 dB（典型值） LO至IF隔离：25 dB（典型值） IP3：18 dBm（典型值） P1dB：17 dBm（典型值） 中频引脚频率：DC − 4.5 GHz 12引脚、3 mm × 3 mm SMT陶瓷封装产品详情 HMC524ALC3B是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q混频器，采用符合RoHS标准的无引脚SMT陶瓷封装。 该器件可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。 该混频器采用两个标准双平衡混频器单元和一个90度混合器件，均采用GaAs MESFET工艺制造。 低频正交混合器件用于产生100 MHz IF输出。 该产品为混合型镜像抑制混频器和单边带上变频器组件的小型替代器件。 HMC524ALC3B无需线焊，可以使用表贴制造技术。应用 点对点和点对多点无线电 VSAT 测试设备和传感器 军用最终用途方框图...
和特点 无源：无需直流偏置 转换损耗：8 dB（典型值） 输入IP3：20 dBm（典型值） LO至RF隔离：47 dB（典型值） IF频率范围：DC至3.5 GHz 符合RoHS标准的24引脚、4 mm × 4 mm LCC封装产品详情 HMC525ALC4是一款砷化镓(GaAs)单芯片微波集成电路(MMIC)、同相正交(I/Q)混频器，采用符合RoHS标准的24引脚、陶瓷无铅芯片载体(LCC)封装。该器件可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。该混频器使用两个标准双平衡混频器单元和一个90°混合器件，均采用GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺。HMC525ALC4为混合型镜像抑制混频器和单边带上变频器组件的小型替代器件。HMC525ALC4无需线焊，可以使用表贴制造技术。应用 微波和甚小孔径终端无线电 测试设备 点对点无线电 军事电子战、电子对抗、以及指挥、控制、通信和情报 方框图...
和特点 集成LO放大器： -5 dBm输入 次谐波(x2) LO 高2 LO/RF隔离： 25 dB 芯片尺寸： 1.32 x 0.97 x 0.1 mm 产品详情 HMC337芯片是一款集成LO放大器的次谐波(x2) MMIC混频器，可用作上变频器或下变频器。 该芯片利用GaAs PHEMT技术，芯片整体面积为1.28mm²。 2 LO至RF隔离性能出色，无需额外滤波。 LO放大器采用单偏置（+3V至+4V）双级设计，仅需-5 dBm的标称驱动。 所有数据均采用50 ohm测试夹具中的芯片测得，该夹具通过直径为0.076 mm (3 mil)、最小长度小于0.31 mm (12 mils)的焊线 GHz微波无线电 针对点对点无线电应用的上下变频器 卫星通信系统方框图...
和特点 集成小数N分频PLL的宽带有源混频器 RF输入频率范围：100 MHz至2500 MHz 内部LO频率范围：1050 MHz至2300 MHz 灵活的IF输出接口 输入P1dB：12 dBm 输入IP3：29 dBm 噪声系数(单边带)：12 dB 电压转换增益：6 dB 200 Ω输出匹配阻抗 通过SPI串行接口进行PLL编程 40引脚、6 mm × 6 mm LFCSP封装产品详情 ADRF6655是一款高动态范围有源混频器，集成PLL和VCO。频率合成器利用可编程整数N分频/小数N分频PLL产生本振输入，供给混频器。PLL基准输入标称值为20 MHz。基准输入可以进行分频或倍频，然后施加于PLL鉴相器。PLL支持10 MHz至160 MHz范围内的输入基准频率。鉴相器输出控制一个电荷泵，其输出在片外环路滤波器中进行积分。然后，环路滤波器输出施加于一个集成式VCO。VCO输出(2 × fLO)再施加于一个本振(LO)分频器和一个可编程PLL分频器。可编程分频器由一个Σ-Δ调制器(SDM)进行控制。SDM的模数可以在1至2047范围内编程。该宽带有源混频器采用一个偏置调整电路，允许通过提高电源电流来增强IP3性能。在典型条件下，该混频器的输入IP3超过25 dBm，单边带噪...
和特点 宽IF带宽： DC - 3 GHz RF频率： 54至64 GHz LO频率 27至32 GHz 高镜像抑制： 30 dB 无源；无需直流偏置 裸片尺寸： 1.54 x 1.41 x 0.1 mm 产品详情 HMC-MDB218是一款次谐波(x2)MMIC混频器，可用作镜像抑制混频器(IRM)或单边带上变频器。 此款无源MMIC混频器采用GaAs异质结双极性晶体管(HBT)肖特基二极管技术制造。 针对下变频应用，外部正交混合器件可用于选择所需边带同时抑制图像信号。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化，Shottky器件已完全钝化以实现可靠操作。 HMC-MDB218次谐波IRM可兼容常规的芯片贴装方法，以及热压缩和热超声线焊，非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ohm环境下使用RF探头接触测得。 应用 短程/高容量无线电 卫星通信 军用雷达、ECM和EW 传感器 测试和测量设备 方框图...
和特点 宽IF带宽： DC - 5 GHz 高镜像抑制： 35 dB LO至RF高隔离： 28 dB 无源： 无需直流偏置 裸片尺寸： 2.2 x 2.0 x 0.1 mm 产品详情 HMC-MDB172是一款单芯片I/Q混频器，可用作镜像抑制混频器(IRM)或单边带上变频器。 此款无源MMIC采用GaAs异质结双极性晶体管(HBT)肖特基二极管技术制造。 针对下变频应用，外部正交混合器件可用于选择所需边带同时抑制图像信号。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化，Shottky器件已完全钝化以实现可靠操作。 HMC-MDB172 I/Q MMIC混频器可兼容常规的芯片贴装方法，以及热压缩和热超声线焊，非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ohm环境下使用RF探头接触测得。 应用 点对点无线电 VSAT 军用雷达、ECM和EW 测试和测量设备 卫星通信方框图...
和特点 无源： 无需直流偏置 高输入IP3： 13 dBm 高LO/RF隔离： 30 dB 高2LO/RF隔离： 50 dB 宽IF带宽： DC - 12 GHz 上变频和下变频应用 裸片尺寸： 1.74 x 1.73 x 0.1 mm 产品详情 HMC1057是一款次谐波MMIC混频器，可用作镜像抑制混频器(IRM)或单边带上变频器。 此款无源MMIC混频器采用GaAs Shottky二极管技术制造。 针对下变频应用，外部正交混合器件可用于选择所需边带同时抑制图像信号。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化，Shottky器件已完全钝化以实现可靠操作。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ohm环境下使用RF探头接触测得。 应用 短途/高容量无线电 测试设备和传感器 军用最终用途 E波段通信系统 汽车雷达 方框图...
和特点 集成LO放大器：-4至+4 dBm输入 次谐波(x2) LO 高2LO/RF隔离： 30 dB DC - 6 GHz带宽IF 符合RoHS标准的3x3 mm SMT封装 产品详情 HMC264LC3B是一款集成LO放大器的21 - 31 GHz次谐波(x2) MMIC混频器，采用无引脚“无铅”SMT封装。 在30 dB时，2LO至RF隔离性能出色，无需额外滤波。 LO放大器采用单偏置（+3V至+4V）双级设计，仅需-4至+4 dBm的驱动。 RF和LO端口为隔直端口并匹配50 Ω，使用方便，同时IF的工作频率范围为DC至6 GHz。 HMC264LC3B无需线焊，可以使用表贴制造技术。 应用 点对点无线电 点对多点无线电和VSAT 测试设备和传感器 军用最终用途 方框图...
和特点 无源： 无需直流偏置 低LO功率： 9 dBm 高LO/RF隔离： 28 dB 高2LO/RF隔离： 43 dB 宽IF带宽： DC至12 GHz 上变频和下变频应用 裸片尺寸： 1.15 x 0.97 x 0.1 mm 产品详情 HMC1058是一款次谐波MMIC混频器。 它可用作上变频器或下变频器，IF端口频率范围为DC至12 GHz，RF端口频率范围为71 GHz至86 GHz。 此款无源MMIC混频器采用GaAs Shottky二极管技术制造。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化，Shottky器件已完全钝化以实现可靠操作。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ohm环境下使用RF探头接触测得。 应用 E波段通信系统 测试设备和传感器 军用最终用途 汽车雷达 方框图...
和特点 集成LO放大器： -4 dBm输入 次谐波(x2) LO 高2LO/RF隔离： 35 dB LM3 SMT封装产品详情 HMC264LM3是一款集成LO放大器的20 - 30 GHz表贴次谐波(x2) MMIC混频器，采用SMT无引脚芯片载体封装。 在25至35 dB时，2LO至RF隔离性能出色，无需额外滤波。 LO放大器采用单偏置（+3V至+4V）双级设计，仅需-4 dBm的驱动。 所有数据均通过安装在50 Ω测试夹具中的非密封型、环氧树脂密封LM3封装器件获取。 采用HMC264LM3即无需线焊，从而为客户提供一致的接口。 应用 20和30 GHz微波无线电 上下变频器 点对点无线电 LMDS和SATCOM 方框图...
和特点 集成LO放大器： -5 dBm输入 次谐波(x2) LO 高2 LO/RF隔离： 33 dB 裸片尺寸： 1.32 x 0.97 x 0.1 mm 产品详情 HMC338芯片是一款集成LO放大器的次谐波(x2) MMIC通用混频器，可在26至33 GHz的频率范围中用作上变频器或下变频器。 该芯片利用GaAs PHEMT技术，芯片整体面积为1.28mm²。 2 LO至RF隔离性能出色，无需额外滤波。 LO放大器采用单偏置（+3V至+4V）双级设计，仅需-5 dBm的标称驱动。 所有数据均采用50 ohm测试夹具中的芯片测得，该夹具通过直径为0.076 mm (3 mil)、最小长度小于0.31 mm (12 mils)的焊线连接。 应用 通用应用 26和33 GHz微波无线电 针对点对点无线电应用的上下变频器 卫星通信系统 方框图...
和特点 集成LO放大器： -4 dBm输入 次谐波(x2) LO 集成IF放大器： 增益：3 dB 小尺寸： 1.32 x 1.32 x 0.1 mm 产品详情 HMC265芯片是一款集成LO和IF放大器的次谐波(x2) MMIC下变频器。 该芯片利用GaAs PHEMT技术，芯片整体面积为1.74 mm²。 2LO至RF隔离性能出色，无需额外滤波。 LO放大器采用单偏置（+3V至+4V）双级设计，仅需-4 dBm的标称驱动。 所有数据均采用50 Ω测试夹具中的芯片测得，该夹具通过直径为0.025 mm (1 mil)、最小长度0.31 mm (12 mils)的焊线连接。 此下变频器IC对基于混合型二极管的下变频器MMIC组件是更小、更可靠的极佳替代品。 应用 微波点对点无线电 LMDS SATCOM方框图...
和特点 集成LO放大器： -4 dBm输入 次谐波(x2) LO 高2LO/RF隔离： 28 dB LM3 SMT封装 产品详情 HMC265LM3是一款集成LO和IF放大器的20 - 31 GHz表贴次谐波(x2) MMIC混频器下变频器，采用SMT无引脚芯片载体封装。 在28至47 dB时，2LO至RF和IF隔离性能出色，无需额外滤波。 LO放大器采用单偏置（+3V至+4V）双级设计，仅需-4 dBm的驱动。 所有数据均通过安装在50 Ω测试夹具中的非密封型、环氧树脂密封LM3封装器件获取。 采用HMC265LM3即无需线焊，从而为客户提供一致的接口。 应用 20和31 GHz微波无线电 点对点无线电下变频器 LMDS 和SATCOM方框图...
和特点 低LO功率： 10 dBm 宽IF带宽： DC - 3 GHz 镜像抑制： 21 dBc LO/RF隔离： 40 dB 高输入IP3： 17 dBm 16引脚3x3 mm SMT封装： 9 mm² 产品详情 HMC1063LP3E是一款紧凑型I/Q MMIC混频器，采用“无铅”SMT封装，可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。 该混频器采用两个标准Hittite双平衡混频器单元和一个90度混合器件，均采用GaAs Schottky二极管工艺制造。 低频正交混合器件用于产生1,000 MHz LSB IF输出。 该产品为混合型镜像抑制混频器和单边带上变频器组件的小型替代器件。 HMC1063LP3E无需线焊，可以使用表贴制造技术。 应用 点对点和点对多点无线电 军用雷达、EW和ELINT 卫星通信 传感器方框图...
和特点 集成小数N分频PLL的接收混频器 RF输入频率范围：1000 MHz至3100 MHz 内部LO频率范围：1550 MHz至2150 MHz 输入P1dB：+12 dBm 输入IP3：+29 dBm 通过外部引脚优化IP3 SSB噪声系数：12 dB 电压转换增益：6 dB 200 Ω IF输出匹配阻抗 IF 3 dB带宽：500 MHz 可通过三线式SPI接口进行编程 40引脚6 mm × 6 mm LFCSP封装 产品详情 ADRF6602是一款高动态范围有源混频器，集成PLL和VCO。PLL/频率合成器利用小数N分频PLL产生FLO输入，供给混频器。基准输入可以进行分频或倍频，然后施加于PLL鉴相器。PLL支持12 MHz至160 MHz范围内的输入基准频率。鉴相器输出控制一个电荷泵，其输出在片外环路滤波器中进行积分。然后，环路滤波器输出施加于一个集成式VCO。VCO输出(2*FLO)再施加于一个LO分频器和一个可编程PLL分频器。可编程分频器由一个Σ-Δ调制器(SDM)进行控制。SDM的模数可以在2至2047范围内编程。有源混频器可将单端50 Ω RF输入转换为200 Ω差分IF输出。IF输出的工作频率最高可达500 MHz。ADRF6602采用先进的硅-锗BiCMOS工艺制造，提供40引脚、裸露...
和特点 功率转换损耗：7.0 dB RF频率范围：500 MHz至1500 MHz IF频率范围：DC至450 MHz 10 dBm阻塞单边带噪声指数：17 dB 输入IP3：37 dBm 输入P1dB ：25 dBm 本振驱动：0 dBm(典型值) 单端50Ω RF与本振输入端口 高隔离度单刀双掷(SPDT)本振输入开关 单电源电压：3.3至5 V 5 mm × 5 mm，20引脚裸露焊盘LFCSP封装 2000V HBM / 500V FICDM ESD性能产品详情 ADI参考设计:混合信号数字预失真（MSDPD）平台ADL5367利用一个高线性度双平衡无源混频器内核以及集成的RF与本振平衡电路来实现单端工作。ADL5367内置一个RF巴伦，能够利用高端本振注入，在700至1000 MHz的RF输入频率范围内实现最佳性能。(用于低端本振注入的引脚兼容器件也已供应。)平衡的无源混频器提供良好的本振至射频泄漏(典型值优于-20 dBm)，以及出色的互调性能。在手机应用中，带内阻塞信号可能会导致动态性能下降，ADL5367的平衡混频器内核能够提供极高的输入线性度，非常适合于要求严苛的手机应用。对于低压应用，ADL5367能在低至3V的电压下工作，并大幅降低直流电流。两个数字逻辑输入使得用户能够控制一个内部电阻串数模...
和特点 宽IF带宽： DC - 2 GHz 镜像抑制： 28 dB LO至RF隔离： 38 dB 高输入IP3： +25 dBm 密封模块 可现场更换的同轴连接器 工作温度范围为-55至+85℃ 产品详情 HMC-C042是一款无源I/Q MMIC混频器，封装在微型密封模块中，可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。该模块采用两个标准Hittite双平衡混频器单元和一个90度混合器件，均采用GaAs MESFET工艺制造。 低频正交混合器件用于产生100 MHz USB IF输出。 这个基于MMIC的模块可以替代混合型I/Q混频器和单边带变频器组件，而且更加可靠。 该模块带有可移除的SMA连接器，这些连接器可以拆卸，以便将模块I/O引脚直接连接到微带或共面电路。 应用 点对点无线电 点对多点无线电和VSAT 测试设备和传感器 军用最终用途方框图...
和特点 宽IF带宽： DC - 18 GHz 无源双平衡拓扑结构 LO输入功率： +14 dBm 裸片尺寸： 1.55 x 1.4 x 0.1 mm 产品详情 HMC-MDB277是一款无源双平衡MMIC混频器，采用GaAs异质结双极性晶体管(HBT)肖特基二极管技术，可用作上变频器或下变频器。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化，Shottky器件已完全钝化以实现可靠操作。 HMC-MDB277双平衡混频器可兼容常规的芯片贴装方法，以及热压缩和热超声线焊，非常适合MCM和混合微电路应用。 这款紧凑型MMIC可以取代混合型双平衡式混频器，而且体积要小得多，性能更加稳定。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ohm环境下使用RF探头接触测得。 应用 短程/高容量无线电 FCC E波段通信系统 汽车雷达 传感器 测试和测量设备 方框图...
和特点 高性能有源混频器 宽带操作，频率最高达2.5 GHz 转换增益：7 dB 输入IP3：16.5 dBm LO驱动：–10 dBm 噪声系数：14 dB 输入P1dB：2.8 dBm 差分LO、IF和RF端口 50 Ω LO输入阻抗 单电源供电：5 V（50 mA，典型值） 省电模式：20 µA（典型值）产品详情 AD8343是一款高性能、宽带有源混频器，具有极低交调失真，所有端口均具有宽带宽，非常适合要求严格的发射应用或接收通道应用。AD8343的典型变频增益为7 dB。集成的LO驱动器以低LO驱动电平，支持50 Ω差分输入阻抗，有助于将外部元件数降至最少。开发差分输入可以直接与差分滤波器接口，或通过平衡-不平衡变换器（变压器）驱动，由单端源提供平衡驱动。开集差分输出可以用来驱动差分中频信号接口，或通过匹配网络或变压器转换为单端信号。以VPOS电源电压为中心时，输出摆幅为±1 V。LO驱动器电路的典型功耗为15 mA。可利用两个外部电阻来设置混频器内核电流，以达到要求的性能，总电流为20 mA至60 mA。采用5 V单电源供电时，相应的功耗为100 mW至300 mW。AD8343采用ADI公司的高性能25 GHz硅双极性IC工艺制造，提供14引脚TSSOP封装，工作温度范围为−...
和特点 集成小数N分频PLL的接收混频器 RF输入频率范围：300 MHz至2500 MHz 内部LO频率范围：750 MHz至1160 MHz 输入P1dB：14.5 dBm 输入IP3：31 dBm 通过外部引脚优化IIP3 SSB噪声系数IP3SET引脚断开：13.5 dBIP3SET引脚接3.3 V电压：14.6 dB 电压转换增益：6.7 dB 200 Ω IF输出匹配阻抗 IF 3 dB带宽：500 MHz 可通过三线式SPI接口进行编程 40引脚、6 mm × 6 mm LFCSP封装 产品详情 ADRF6601是一款高动态范围有源混频器，集成锁相环(PLL)和压控振荡器(VCO)。PLL/频率合成器利用小数N分频PLL产生fLO输入，供给混频器。基准输入可以进行分频或倍频，然后施加于PLL鉴频鉴相器(PFD)。PLL支持12 MHz至160 MHz范围内的输入基准频率。PFD输出控制一个电荷泵，其输出驱动一个片外环路滤波器。然后，环路滤波器输出施加于一个集成式VCO。VCO输出(2 × fLO)再施加于一个LO分频器和一个可编程PLL分频器。可编程PLL分频器由一个Σ-Δ调制器(SDM)进行控制。SDM的模数可以在1至2047范围内编程。有源混频器可将单端50 Ω RF输入转换为200 Ω差分IF输出。...
和特点 宽带、双通道、有源下变频混频器 低失真、快速建立、IF DGA RF输入频率范围：690 MHz至3.8 GHz RF输入端的可编程巴伦 差分和单端LO输入模式 差分IF输出阻抗：100 Ω 可通过三线式串行端口接口(SPI)进行编程 对于RF=1950 MHz、IF=281 MHz、高线性度模式： 电压转换增益，包括IF滤波器损耗：−5至+26.5 dB （更多详细信息，请参见数据手册） 灵活的省电模式，针对低功耗操作 通道使能后的上电时间：100 ns，典型值 3.3 V单电源 高线 mA 产品详情 ADRF6658是一款高性能、低功耗、宽带、双通道无线电频率(RF)下变频器，集成中频(IF)数字控制放大器(DGA)，适用于宽带、低失真基站无线电接收机。 双通道Rx混频器为双平衡吉尔伯特单元混频器，具有高线性度和出色的图像抑制能力。 两款混频器均可将50 Ω RF输入转换为开集宽带IF输出。 在混频器输入前，RF输入端的内部可调谐巴伦可抑制RF信号谐波并衰减带外信号，从而减少输入反射和带外干扰信号。 灵活的本振(LO)架构允许使用差分或单端LO信号。 双通道IF DGA基于ADL5201和ADL5202，固定差分输出...