三星大幅削减3D NAND生产用光刻胶用量

　　本报讯 近日，三星表示，已在其最新3D NAND的光刻工艺中减少了厚光刻胶（以下简称“PR”）的使用量，从而大幅节省了成本。

　　三星表示，为了提高NAND生产效率并降低成本，通过采用两项关键创新技术减少了光刻胶的使用量。首先，三星优化了生产过程中的每分钟转数和涂布机转速，在保持最佳蚀刻条件的同时，减少了PR的使用，在保持涂层质量的同时大幅节省了成本。其次，PR应用后的蚀刻工艺已经得到改进，尽管材料使用量减少，但仍能获得同等或更优的结果。据了解，三星已将用于3D NAND生产的PR使用量减少了一半。

　　但三星此举也意味着东进半导体将面临订单减少的问题。据悉，东进半导体光刻胶业务每年的营收约为2500亿韩元收入，其中60%来自于三星。

　　光刻胶被誉为“微纳世界的画家”，在半导体制造中，光刻胶要先被涂覆在硅片或其他衬底上，然后通过光照和后续蚀刻等处理，实现微细图案的制作。

　　当前，全球光刻胶市场几乎被来自日本的JSR、东京应化、信越化学、住友化学等企业所瓜分，也让日本在全球半导体制造链中占据着举足轻重的地位，这也让日本获得了主动权。日本政府曾多次限制光刻胶等半导体材料的出口，其中，影响最深远的就是2019年7月，日本政府宣布对出口韩国的半导体工业材料加强审查和管控，并将韩国排除在贸易“白色清单”以外。在2019年，韩国光刻胶对日本的依赖度为80%。但韩国政府在被限制时并没有坐以待毙，立刻牵头一口气投入了6万亿韩元的预算，鼓励韩国的材料企业加快研发进度。2022年12月，这笔投入终于获得了回报，韩国三星电子公司宣布，将东进半导体研发的EUV光刻胶成功应用于其芯片工艺生产线。东进半导体成为韩国第一家将EUV光刻胶本土化至量产水平的公司。（文 编）